Samsung anuncia memorias LPDDR5 de 8 Gb e 10 nm
martes, 17 de xullo do 2018
Samsung
anuncia hoxe que completou o desenvolvemento das primeiras
memorias DRAM LPDDR5 de 8 gigabits en fabricación de 10 nanómetros, pensadas
para as aplicacións móbiles do futuro, e que súmanse asà ás memorias GDDR6 de
16 gigabits (en produción dende decembro) e ás DDR5 de 16 gigabits (desenvolvidas
en febreiro), das que diferéncianse as novas memorias polo seu baixo consumo,
ou sexa, pola súa orientación a dispositivos móbiles.
As novas memorias LPDDR5 de 8 gigabits conseguen velocidades de transferencia
de 6.400 Mbps, fronte aos 4.266 Mbps das actuais memorias LPDDR4X. A velocidade
indicada serÃa a correspondente a un funcionamento a 1,1 V, mentres que a 1,05
V reducirÃase a 5.500 Mbps, facendo que este tipo de memorias sexa máis
versátil. Tamén prometen unha redución de consumo de até o 30%, mentres que en espera chegarÃa a reducir o consumo á
metade.